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NTJS4151P
1250
5
15
1000
C ISS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
V DS
Q T
V GS
12
750
500
3
2
9
6
250
1
Q gs
Q gd
I D = ? 3.3 A
T J = 25 ° C
3
0
0
0
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
10000
Figure 7. Capacitance Variation
3
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
t f
t d(off)
2.5
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1000
t r
t d(on)
1.5
1
0.5
100
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
http://onsemi.com
4
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